有序Ga_xIn_(1-x)P(x=0.52)光致发光谱研究
【摘要】：报道了对有序ＧａｘＩｎ１－ｘＰ（ｘ＝０．５２）样品的变温和变激发功率密度的ＰＬ谱的研究．在低温Ｔ＝１７Ｋ，低激发功率密度下，谱线呈双峰结构，在低激发功率密度下升高温度，低能端的发光峰（以下简称Ａ峰）发生热猝灭，并在８５Ｋ左右完全消失．高能端的发光峰（以下简称Ｂ峰）积分强度则随温度升高先增强而后发生猝灭．采用低激发功率密度激发样品，Ａ峰较Ｂ峰强．增大激发功率密度，Ｂ峰强度逐渐超过Ａ峰强度并占据主导地位．激发功率密度增加约两个数量级时，发现Ｂ峰峰值位置不随激发功率密度移动，而Ａ峰出现微小蓝移（６．２ｍｅＶ）．初步分析表明，Ａ峰与空间分离中心的复合有关，而Ｂ峰来自本征激子复合；Ｂ峰积分强度随温度升高
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