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ZnMgO/n-ZnO/ZnMgO/p-GaN异质结LED的紫外电致发光

宿世臣  吕有明  
【摘要】:利用等离子体辅助分子束外延(P-MBE)技术制备了ZnMgO/n-ZnO/ZnMgO/p-GaN异质结LED。Ni/Au电极与p-GaN、In电极与ZnMgO之间都形成了良好的欧姆接触。在ZnMgO/n-ZnO/ZnMgO/p-GaN异质结器件中观察到了明显的整流特性。异质结的电致发光强度随着注入电流的增大而逐渐增强。室温下在注入电流为20 mA时,电致发光光谱由位于370 nm和430 nm的两个发光峰构成。通过异质结的电致发光光谱与ZnO和GaN材料的光致发光光谱相比较确认:位于370 nm的发光来源于ZnO的自由激子,这主要是利用了ZnMgO/ZnO/ZnMgO的双异质结结构,这种双异质结结构能够阻挡ZnO中的电子进入GaN中,而GaN中的空穴可以进入到ZnO层中。盖层的ZnMgO作为一个限制层,能够提高载流子的复合效率,从而实现ZnO异质结的室温电致激子发光。

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