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Ga_(1-x)Al_xAs LED深能级对其发光效率的影响

胡恺生  高瑛  苏锡安  李殿学  
【摘要】:本文用DLTS法测量了发光效率不同的三只Ga)(1-x)Al_xAs LED的深能级浓度.深度和俘获截面,并计算出电子和空穴的寿命,同时测量了它们的发光光谱和光通.从发光效率正比于载流子寿命的观点出发,分析了实验结果.表明1~*与3~*LED发光效率比R_1大致等于它们的寿命比R_τ,但2~*与3~*却差别很大,文中从光谱角度作了一些分析,差值有所改进.从载流子寿命分析,找出了△E_m=0.28、0.33与0.32eV三个能级是分别影响三个LED效率的主要能级。指出了8800A的红外峰是使发光效率降低的另一个原因,它可能起因于外延层与村底界面处GaAs的带间复合和通过杂质的复合,要得到高效的LED必须制备出好的Ga_(1-x)Al_xAs与GaAs界面,应尽可能使红外峰减少.实验表明,效率高的LED仅有一个深能级(0.28eV),在室温下视察不到明显的红外峰。

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