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半导体的激光退火

吴乐琦  
【摘要】:正 一、引言 虽然早在1968年就有人用激光辐照的方法制成了si的p-n结,但直到1976年,离子注入半导体的激光退火才引起了人们的充分注意。由于看到了激光处理半导体这一课题不仅具有深刻的理论意义而且可能有重大的实用价值,故近几年来,美、苏、英、日、意等国开展了大量的研究工作。虽然尚未正式投入工业生产流程,但在激光退火、激光掺杂、激光合

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