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微米级颗粒透射电子显微镜样品的简单制备方法

马秀梅尤力平

【摘要】：针对微米级颗粒透射电镜样品,本文详细介绍了一种操作简单、实用性强的制备方法。TEM表征结果表明,采用该方法可以成功制备出微米级颗粒的适合TEM观察的样品。

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中国期刊全文数据库

前20条

1	马秀梅;尤力平;;微米级颗粒透射电子显微镜样品的简单制备方法[J];电子显微学报;2018年02期
2	孙再吉;;台积电投入0．13微米的嵌入式闪存生产[J];半导体信息;2008年02期
3	;宏力着手0.13微米工艺[J];中国集成电路;2004年12期
4	;X-FAB开发出0.35微米CMOS技术[J];电子工程师;2002年10期
5	周虎明;极具典型的亚微米IC　CAD工具[J];电子工业专用设备;1996年04期
6	章和;三年实现0.1微米[J];世界电子元器件;1997年03期
7	;华虹NEC0.18微米CMOS工艺选用Artisan的IP解决方案[J];集成电路应用;2005年01期
8	何玉表,张文肃;微米、亚微米及深亚微米CMOS工艺技术研究[J];微处理机;1997年01期
9	邓君龙,赵丽新,张海平,过建群,宋向东,王传庆;微米/亚微米测试校正版的研制及测试[J];微电子技术;1997年02期
10	T.N.Jackson;梁春广;;一种新的亚微米制造技术[J];半导体情报;1980年05期
11	章从福;;华虹NEC 0.162微米CIS工艺成功进入量产[J];半导体信息;2009年05期
12	;0.16微米CMOS工艺技术[J];中国集成电路;2008年05期
13	范焕章,黎想;亚微米器件制造技术的发展动态[J];半导体技术;2000年01期
14	K.J.Marsh;J.A.Savage;培芝;;8～13微米红外光学材料的现状与展望[J];激光与红外;1975年04期
15	赵渺;易双萍;王震虎;;多元醇水热法制备超长空心硒微米管[J];稀有金属材料与工程;2011年S2期
16	;CADENCE的主要客户采用新的SoC ENCOUNTER进行0.13微米层次化IC设计[J];电子技术应用;2002年06期
17	陈善海;;绘制亚微米离子束图形新法[J];电子技术;1985年04期
18	冯昭奎;;向微米、亚微米进军——日本超大规模集成电路制造设备一瞥[J];半导体设备;1983年02期
19	邹勉;;宏力半导体0.13微米嵌入式闪存成功量产[J];半导体信息;2010年05期
20	章从福;;台积电全球首家推出0.1微米芯片制造工艺[J];半导体信息;2004年03期

中国重要会议论文全文数据库

前10条

1	张凯;聂德明;王昊利;;微米颗粒直流介电电泳分离器性能的研究[A];中国仪器仪表学会第十一届青年学术会议论文集[C];2009年
2	王函;徐国跃;翁履谦;王芹;王秀华;;微米级硫化物半导体的红外发射率研究[A];第五届中国功能材料及其应用学术会议论文集Ⅰ[C];2004年
3	李立强;Klaus Muellen;迟力峰;;超薄有机半导体微米带的可控生长与应用[A];中国化学会第29届学术年会摘要集——第17分会：光电功能器件[C];2014年
4	孙晓文;韩邦旻;赵福军;卓见;阮渊;蒋君涛;夏术阶;;经尿道2微米激光剥橘式前列腺切除术治疗大体积前列腺的疗效和安全性研究[A];上海市激光学会2013年学术年会论文集[C];2013年
5	许钫钫;胡俊清;板东义雄;冯景伟;;GaS亚微米管的几何构造和结构应变[A];2006年全国电子显微学会议论文集[C];2006年
6	陈林森;周小红;魏国军;邵洁;;亚微米数码激光图像光刻直写系统及应用[A];中国光学学会2006年学术大会论文摘要集[C];2006年
7	杨宏伟;阮玉;杨坤涛;;适于亚微米光刻的高精度莫尔对准技术研究[A];第四届全国光电技术与系统学术会议论文集[C];1991年
8	俞之圻;;10.6微米波段多谱线工作TEA二氧化碳激光管的动力学模型[A];中国真空学会科技进步奖（1994-2000）得奖人员论文集[C];2000年
9	倪永红;刘洪江;王飞;徐正;;鞭炮形的CuS亚微米晶的一步水热合成[A];纳米材料和技术应用进展——全国第三届纳米材料和技术应用会议论文集（上卷）[C];2003年
10	朱健民;黄石松;李兴华;周舜华;赵晓宁;马国斌;;CdS纳米晶自组装形成的亚微米中空球微结构研究[A];2005年全国电子显微学会议论文集[C];2005年

中国博士学位论文全文数据库

前3条

1	丁梦;基于氧化锌微纳米线的光电器件研究[D];中国科学院研究生院（长春光学精密机械与物理研究所）;2012年
2	何少伟;微纳VO_2薄膜特性及其应用研究[D];华中科技大学;2008年
3	徐碧漪;微纳尺度管道的构建、表征及应用[D];南京大学;2013年

中国硕士学位论文全文数据库

前10条

1	李伯昌;GaAs基Ⅲ-Ⅴ族自卷曲微米管的关键特性研究[D];北京邮电大学;2014年
2	陆荣;基于金硅腐蚀自停止技术的亚微米梁制作研究[D];中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所）;2008年
3	蔡颖;0.11微米工艺下混合信号芯片良率问题研究[D];复旦大学;2011年
4	潘志洪;Ⅲ-Ⅴ族自卷曲微米管特性研究[D];北京邮电大学;2015年
5	董宏韬;基于锥形微米管的亚波长聚焦效应的研究[D];浙江大学;2011年
6	汪玲玲;利用亚微米光栅制作导光板方法的研究[D];苏州大学;2006年
7	高云霞;与纳米功能材料结合的Ⅲ-Ⅴ族自卷曲微米管的制备与特性研究[D];北京邮电大学;2016年
8	王贤坤;基于纳米薄膜自卷曲的Ⅲ-Ⅴ族半导体管状功能器件的研究[D];北京邮电大学;2017年
9	王二洋;Si基Ⅲ-Ⅴ族自卷曲微米管的制备与特性表征[D];北京邮电大学;2014年
10	朱敏;亚微米结构的激光制备及特性研究[D];西南科技大学;2015年

中国重要报纸全文数据库

前10条

1	;华虹NEC开发0.35微米BCD工艺[N];电子资讯时报;2007年
2	宋丁仪 DigiTimes;中芯、虹晶开启 0.25～0.13微米工艺合作[N];电子资讯时报;2006年
3	宋丁仪 DigiTimes;台积电奥援世界先进0.18微米工艺接单[N];电子资讯时报;2006年
4	宋丁仪 DigiTimes;联电、特许0.13微米工艺冷风吹[N];电子资讯时报;2006年
5	刘霞;科学家首次成功在硅上集成50微米厚锗[N];科技日报;2012年
6	;Actel 0.13微米工艺弃英飞凌就联电[N];电子资讯时报;2006年
7	杨春;和舰科技与爱普生技术合作之0.15微米高压芯片开始量产[N];电子资讯时报;2008年
8	李;我国IC关键技术研究通过鉴定[N];中国电子报;2000年
9	宋丁仪 DigiTimes;USB控制芯片价格破盘 0.18微米订单投向大陆[N];电子资讯时报;2007年
10	刘;英特尔首批0.13微米芯片投产[N];中国计算机报;2001年

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