晶态Si_3N_4/非晶SiO_2同轴纳米线的电子显微学研究
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秦国刚;晶态半导体中氢的行为[J];固体电子学研究与进展;1989年04期 |
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田民波,王英华,汤海鹏;SiC薄膜热敏电阻器及温度传感器[J];传感器技术;1989年04期 |
3 |
唐景庭;非晶态合金及其离子注入效应[J];微细加工技术;1990年04期 |
4 |
邱柳卿;;美国专利文摘[J];真空电子技术;1990年01期 |
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常瑞廷;新型非晶态FeB薄膜平面Hall元件[J];传感器技术;1992年03期 |
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孙旸,邓和,干福熹;晶态InSb薄膜在脉冲YAG激光作用下的熔化与再结晶过程的研究[J];中国激光;1992年06期 |
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蔡树芝,牟季美,张立德,程本培;纳米非晶氮化硅键态结构的X射线径向分布函数研究[J];物理学报;1992年10期 |
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柳襄怀;高温多次N~+注入硅形成晶态α-Si_3N_4研究[J];电子学报;1992年08期 |
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何宇亮,殷晨钟,程光煦,王路春,李齐;纳米硅薄膜结构分析[J];半导体学报;1992年11期 |
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张维佳,戎霭伦,司徒活,赵晶;相变光盘多层膜系结构的最佳光匹配研究[J];北京航空航天大学学报;1994年01期 |
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