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半导体中瞬态阴极荧光的研究

葛玉如  庄蔚华  李成基  刘淑彬  徐俊英  
【摘要】:我们采用静电偏转电子束的方式,在JXA-3A型电子探针内实现了脉冲电子束激发(这种方式使电子束脉冲重复频率限制在1GHz以下)。在该频闪电子束系统中,我们研究了GaAsP材料的瞬态阴极发光(瞬态CL)。讨论了瞬态CL与激发电子束脉冲宽度的关系,测量了GaAs0.35P0.65:N(80°K)的瞬态CL的时间响应曲线,从而得到GaAs0.35P0.65:N(80°K)的瞬态CL时间。

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