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瞬态电荷收集法研究a-Si:H/a-SiN:H界面处的电子积累

阎宝杰  石立峰  耿新华  孙仲林  徐温元  
【摘要】:本文介绍一种研究a-Si:H/a-SiN:H界面层电子积累特性的新方法,所用样品为Cr/a-SiN:H/a-Si:H/(n+)a-Si:H/AI.测试表明,a-Si:H/a-SiN:H界面是一个电子积累层,其电子面密度为3.2×10~(11)/cm~2,并且界面层中的电子面密度随外加电压的增加而线性增加。实验结果与理论分析相一致。

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