77K多晶硅发射区双极型晶体管

【摘要】：本文介绍了适于77K工作的多晶硅发射区双极型晶体管,给出了在不同工作电流条件下的电流增益的温度模型。结果表明在小电流条件下电流增益随温度下降而下降得更为剧烈,并且讨论了在不同注入情况下,浅能级杂质的陷阱作用对截止频率的影响。

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3	张敏,陈业新,杨华丽,罗杏珍;高速ECL256字×1位随机存储器[J];半导体学报;1980年01期
4	西沢润一;何洪俊;;用计算机辅助设计分析双极晶体管的高电平注入工作状态[J];微纳电子技术;1980年01期
5	维东;;微波功率合成[J];微纳电子技术;1980年03期
6	毛兴武;;关于超β晶体管若干问题的分析与实践[J];仪表技术与传感器;1980年06期
7	亢宝位,董利民;超高频功率晶体管金属栅格电极结构的研究[J];半导体技术;1981年04期
8	庄惠华;掺磷乳胶源用于功率晶体管发射区扩散的尝试[J];半导体技术;1981年06期
9	陈顺一;VHF正向AGC管宽线条版图设计[J];半导体技术;1982年01期
10	毛兴武;硅PNP晶体管高磷扩散工艺的改进[J];半导体技术;1982年03期

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1	俞诚;王文源;张爱忠;蒲荣生;周金龙;;一种新型LEC晶体管及其真空注入工艺[A];华东三省一市第三届真空学术交流会论文集[C];2000年
2	李华;邵爱军;汪义川;季静佳;施正荣;;选择性发射极太阳电池产业化的初步研究[A];21世纪太阳能新技术——2003年中国太阳能学会学术年会论文集[C];2003年

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1	胡留长;平面型共振隧穿二极管与共振隧穿晶体管的研究与应用[D];天津大学;2005年
2	蒲红斌;SiCGe/SiC异质结光控达林顿晶体管设计及SiCGe/SiC异质结的制备[D];西安理工大学;2006年

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1	彭雪峰;近距空地攻击仿真关键问题研究[D];西北工业大学;2003年
2	陈庆华;SiGe HBT及其单片集成电路的研究[D];电子科技大学;2006年
3	苟冠鹏;SiGe BiCMOS运算放大器技术研究[D];电子科技大学;2006年
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5	杨超;中程空空导弹效能研究[D];西北工业大学;2007年
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8	向旺;SiGe HBT及其单片集成电路：低噪声放大器（LNA）的研究[D];电子科技大学;2007年
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10	李文杰;基于SiGe BiCMOS技术的HBT设计及工艺研究[D];电子科技大学;2007年

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1	白志斌;中国人喜圆航天梦测绘兵甘做铺路石[N];中国测绘报;2003年
2	朱武涛;鹭鸟需要安定的家[N];中国环境报;2003年
3	王艳梅;酒泉卫星发射中心航天第一港[N];中国航天报;2003年
4	北方　本报记者　李志伟;发射场为什么选在酒泉[N];光明日报;2003年
5	童兴莆;加快武器装备信息化步伐[N];解放军报;2003年
6	申慧群李红兵;擦亮现代化信息战的眼睛[N];科技日报;2004年
7	本报记者索阿娣;让金字招牌永不褪色[N];中国航天报;2008年
8	宗兆盾　记者赵波;海南发射场计划近期开工建设[N];解放军报;2009年

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