收藏本站
收藏 | 投稿 | 手机打开
二维码
手机客户端打开本文

一种缓解NBTI效应引起电路老化的门替换方法

梁华国  陶志勇  李扬  
【摘要】:45 nm工艺下,负偏置温度不稳定性(negative bias temperature instability,NBTI)效应是限制电路的性能的首要因素。为了缓解NBTI效应引起的电路老化,提出了1个基于门替换方法的设计流程框架和门替换算法。首先利用已有的电路老化分析框架来预测集成电路在其服务生命期内的最大老化,然后以门的权值作为指标来识别关键门,最后采用门替换算法对电路中的部分门进行替换。基于ISCAS85基准电路和45 nm晶体管工艺的试验结果表明,相对于已有的方法,采用文中的门替换方法,使得NBTI效应引起的电路老化程度平均被缓解了9.11%,有效地解决了控制输入向量(input vector control,IVC)方法不适用于大电路问题。

知网文化
【相似文献】
中国期刊全文数据库 前20条
1 陈建军;陈书明;梁斌;刘必慰;池雅庆;秦军瑞;何益百;;p型金属氧化物半导体场效应晶体管界面态的积累对单粒子电荷共享收集的影响[J];物理学报;2011年08期
2 崔强;蔡华强;;新的场地确认方法——参考场地法[J];安全与电磁兼容;2008年03期
3 ;[J];;年期
4 ;[J];;年期
5 ;[J];;年期
6 ;[J];;年期
7 ;[J];;年期
8 ;[J];;年期
9 ;[J];;年期
10 ;[J];;年期
11 ;[J];;年期
12 ;[J];;年期
13 ;[J];;年期
14 ;[J];;年期
15 ;[J];;年期
16 ;[J];;年期
17 ;[J];;年期
18 ;[J];;年期
19 ;[J];;年期
20 ;[J];;年期
中国硕士学位论文全文数据库 前1条
1 倪亚路;共享Cache动态划分算法及VLSI实现研究[D];复旦大学;2012年
 快捷付款方式  订购知网充值卡  订购热线  帮助中心
  • 400-819-9993
  • 010-62982499
  • 010-62783978