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碳化硅远红外元件特性分析

葛世名杨久初陈中李德全

【摘要】： <正> 碳化硅及其制品是我国推广远红外加热节能新技术时应用的第一代远红外元件。至今使用量仍占首位。据统计,远红外技术总容量为120万瓩,碳化硅使用量占70—80％。事隔几年,有人对远红外技术节电效果产生

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中国期刊全文数据库

前20条

1	贾护军;杨银堂;柴常春;李跃进;;4H-SiC在Cl_2+Ar混合气体中的ICP刻蚀工艺研究[J];真空科学与技术学报;2006年06期
2	Milmega Lad;;碳化硅系列UHF放大器[J];安全与电磁兼容;2008年02期
3	张波;邓小川;张有润;李肇基;;宽禁带半导体SiC功率器件发展现状及展望[J];中国电子科学研究院学报;2009年02期
4	;以碳化硅做衬底的蓝色二极管脉冲激光器[J];光电子技术与信息;1997年06期
5	刘延;比钻石还高贵的砂粒[J];知识就是力量;2002年05期
6	郑冬冬;;高纯度碳化硅晶体将引发电子业革命[J];半导体信息;2004年05期
7	徐玉红;韩敏芳;;梯度复合SiC耐火材料研究进展[J];真空电子技术;2007年04期
8	刘肃,唐莹,李思渊;碳化硅材料在微电子机械系统中的应用[J];微纳电子技术;2002年08期
9	H.卡普斯;M.科拉奇;C.米斯尼尔;R.卢普;L.兹弗里夫;J.M.汉克柯;;碳化硅(SiC)肖特基二极管[J];电力电子;2003年Z1期
10	柏松;陈刚;张涛;李哲洋;汪浩;蒋幼泉;韩春林;陈辰;;SiC MESFET微波功率器件的研制(英文)[J];半导体学报;2007年01期
11	韩茹;杨银堂;王平;崔占东;李亮;;多层金属-n型4H-SiC的欧姆接触(英文)[J];半导体学报;2007年02期
12	金成刚;吴雪梅;诸葛兰剑;;SiC稀磁半导体材料研究进展[J];微纳电子技术;2007年12期
13	陈刚;柏松;李哲阳;韩平;;4H-SiC欧姆接触与测试方法研究[J];固体电子学研究与进展;2008年01期
14	丘思畴,林文九,丘睦钦;低温烧结SiC热敏电阻体[J];电子元件与材料;1991年02期
15	郑冬冬;;用于紫外区的碳化硅雪崩光电二极管[J];半导体信息;2005年06期
16	赵晨光;刘肃;姜岩峰;;P型SiC欧姆接触高温可靠性的研究进展[J];电力电子技术;2007年06期
17	汪浩;柏松;陈刚;李哲洋;刘六亭;陈雪兰;邵凯;;Ni，Ti/4H-SiC肖特基势垒二极管[J];固体电子学研究与进展;2007年04期
18	陈素华;王海波;赵亮;马继开;;低温退火制备Ti/4H-SiC欧姆接触[J];半导体技术;2008年02期
19	吕红亮;张义门;张玉明;车勇;孙明;;4H-SiC MESFET肖特基栅接触的界面参数提取(英文)[J];半导体学报;2008年03期
20	戴振清;杨克武;杨瑞霞;;SiC中基态施主能级分裂对杂质电离的影响[J];半导体技术;2009年03期

中国重要会议论文全文数据库

前10条

1	盛定仪;谭吉春;杨雨川;杨耿;;功率PIN二极管PSPICE子电路模型[A];2007年全国微波毫米波会议论文集（上册）[C];2007年
2	潘宏菽;杨霏;霍玉柱;商庆杰;李亚丽;周瑞;;Si与SiC微波功率器件的比较[A];2010’全国半导体器件技术研讨会论文集[C];2010年
3	陈治明;;碳化硅电力电子器件研发进展与存在问题[A];中国电工技术学会电力电子学会第八届学术年会论文集[C];2002年
4	程伟;英敏菊;周宏余;张丰收;;He和H注入碳化硅形成缺陷的理论研究[A];第十四届全国核物理大会暨第十届会员代表大会论文集[C];2010年
5	徐玉红;韩敏芳;;梯度复合SiC耐火材料研究进展[A];陶瓷——金属封接与真空开关管用管壳技术进步专辑[C];2007年
6	柏松;陈刚;冯忠;钱峰;陈征;吴鹏;任春江;李哲洋;郑惟彬;蒋幼泉;陈辰;;S波段SiC MESFET微波功率MMIC[A];第十五届全国化合物半导体材料，微波器件和光电器件学术会议论文集[C];2008年
7	周丽宏;张崇宏;杨义涛;李炳生;宋银;;退火对离子辐照引起4H-SiC损伤恢复的影响[A];第一届中国核技术及应用研究学术研讨会摘要文集[C];2006年
8	徐南屏;;碳化硅——未来功率器件材料[A];中国电工技术学会电力电子学会第八届学术年会论文集[C];2002年
9	李国才;;红外辐射加热技术的应用及实例剖析[A];第十三届全国红外加热暨红外医学发展研讨会论文及论文摘要集[C];2011年
10	李工一;葛世明;;红外加热30年[A];第十届全国红外加热暨红外医学发展研讨会论文及论文摘要集[C];2005年

中国博士学位论文全文数据库

前10条

1	杨林安;4H碳化硅射频功率金属半导体场效应晶体管的模型及工艺研究[D];西安电子科技大学;2003年
2	郭辉;SiC器件欧姆接触的理论和实验研究[D];西安电子科技大学;2007年
3	郜锦侠;4H-SiC隐埋沟道MOSFET理论和实验研究[D];西安电子科技大学;2005年
4	陈征;Si基SiC薄膜和低维SiO_2的生长及其光致发光机理研究[D];中国科学技术大学;2007年
5	吕红亮;4H-SiC MESFET理论模型与实验研究[D];西安电子科技大学;2007年
6	汤晓燕;6H-SiC肖特基势垒源漏MOSFET理论和实验的研究[D];西安电子科技大学;2007年
7	王平;碳化硅场效应器件的模型及关键工艺技术研究[D];西安电子科技大学;2005年
8	刘军林;SiC单晶制备与晶体缺陷研究[D];西安交通大学;2006年
9	俞笑竹;新型半导体材料的制备及性能研究[D];上海交通大学;2012年
10	雷永明;碳化硅薄膜材料及其在高温传感器件中的应用[D];中国科学院上海冶金研究所;2000年

中国硕士学位论文全文数据库

前10条

1	陈雪萌;用LPCVD法在硅衬底上生长3C-Sic[D];西安理工大学;2002年
2	程小强;多晶硅源漏SiC N-MOSFET关键技术研究[D];西安电子科技大学;2007年
3	常远程;碳化硅肖特基势垒二极管静态特性的研究[D];西安电子科技大学;2001年
4	郜锦侠;碳化硅PMOS器件特性模拟及仿真[D];西安电子科技大学;2002年
5	程泊轩;4H-SiC PiN二极管抗辐照特性研究[D];西安电子科技大学;2009年
6	张林;6H-SiC异质结源漏MOSFET的研究[D];西安电子科技大学;2006年
7	刘芳;碳化硅离子注入及欧姆接触的研究[D];西安电子科技大学;2005年
8	贾威;碳化硅外延材料生长及表征技术研究[D];西安电子科技大学;2006年
9	徐昌发;碳化硅场效应晶体管技术与特性研究[D];西安电子科技大学;2002年
10	詹永玲;碳化硅MOS器件和电路技术的研究[D];西安电子科技大学;2001年

中国重要报纸全文数据库

前10条

1	周杰伦;复合碳化硅质窑炉烧嘴制作的工艺流程[N];广东建设报;2002年
2	浙江大学电气工程学院长江特聘教授盛况;提升功率半导体性能宽禁带器件产业化起航[N];中国电子报;2010年
3	本报记者李映;罗姆：碳化硅产品开发先行一步[N];中国电子报;2010年
4	;新日铁开发出低缺陷硅晶圆[N];中国计算机报;2007年
5	首席记者　傅云;晶能光电争创世界一流[N];江西日报;2006年
6	山东省青州实验中学张学翰;浅谈远红外线加热原理和应用[N];电子报;2006年
7	郭宁刘毅邬梦姣;“晶能光电”硅衬底发光二极管技术领先[N];消费日报;2008年
8	王小庆;四十六所：以GaAs生产为主[N];中国电子报;2002年
9	闻泽;山东出台半导体照明产业发展规划[N];中国电子报;2008年
10	杜文;东南大学：建设LED技术研发高地[N];中国电子报;2010年

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