采用静磁波技术的电可变延时器件

【摘要】：在相控阵系统中为防止相位偏斜和脉冲展宽,可变延时是必需的。提供这种可变延时的方法包括一类固定延时的电缆、铁氧体加载电缆、声面波(SAW)器件以及静磁波(MSW)器件。固定延时的电缆因体积大而限制了每个系统的可用量,铁氧体加载电缆和声面波器件主要用于1GHz 以下的频段,且只能提供较小的延时差。静磁波技术能在高达20GHz 的工作频段上运用,且能提供数十毫微秒量级的延时差。最近,研制并验证了一个带宽大于200MHz、中心频率为3GHz 的静磁波延时器件。该器件在整个工作频带内的相位误差小到8°。且能给出接近50ns 的延时差。因此,看来静磁波技术是最有希望适于下一代相控阵系统的技术。

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中国期刊全文数据库

前18条

1	匡轮;静磁波器件温度性能设计[J];磁性材料及器件;1998年03期
2	J.D.亚当;田桂琴;;静磁波器件[J];国外舰船技术.雷达与对抗;1983年03期
3	匡轮;静磁波器件研制的若干问题[J];系统工程与电子技术;1995年07期
4	谢佳玲;陈昌华;宋志敏;曹亦兵;滕雁;李爽;;基于同轴静磁波荡器的自由电子激光设计[J];现代应用物理;2016年01期
5	叶嘉雄;;光波导的静磁波调制理论与磁光调制器[J];光学工程;1989年05期
6	杨青慧,刘颖力,张怀武;静磁波器件研究进展[J];磁性材料及器件;2003年06期
7	谷超臣;;电子战应用的静磁波器件[J];电子对抗技术;1986年12期
8	罗安庆;高抗三;;微波领域里的新器件——静磁波器件[J];现代雷达;1984年Z1期
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13	马博;;YIG薄膜谐振器的研究进展[J];数字通信世界;2018年02期
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17	司新文,刘公强,孟凡英;双层YIG波导中静磁体波的传播特性[J];电子学报;2001年03期
18	Pradeep Wahi;Zygmond Turski;顾耀平;;同时到达脉冲分离器[J];电子对抗技术;1987年04期

中国重要会议论文全文数据库

前20条

1	胡文忠;胡玉梅;;静磁波器件的计算机仿真[A];1997年全国微波会议论文集(下册)[C];1997年
2	黄华;许州;孟凡宝;金晓;马弘舸;余川;刘振帮;;高功率微波器件研究与发展概述[A];2013年全国微波毫米波会议论文集[C];2013年
3	王淑萌;丁军桥;王利祥;;溶液加工型高分子发光材料与器件[A];中国化学会第30届学术年会摘要集-第二十一分会：π-共轭材料[C];2016年
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6	许坤远;王钢;宋爱民;;平面纳米自开关器件灵敏度的研究[A];第十五届全国化合物半导体材料，微波器件和光电器件学术会议论文集[C];2008年
7	成永东;李明光;;管壁内闭空间气源对器件真空性能的影响[A];第九届真空技术应用学术年会论文集[C];2006年
8	倪经;周俊;杨陆;黄豹;;自旋电子学及其器件[A];真空电子技术—自旋电子学及器件发展专题[C];2013年
9	缪春林;周济;齐西伟;崔学民;;多层片式复合器件的技术研究[A];中国电子学会第十三届电子元件学术年会论文集[C];2004年
10	敖玉贵;;高频窄沟浅结器件用低温烧结技术研究[A];中国电子学会生产技术学分会电子封装专业委员会一九九七年度学术年会论文集[C];1997年
11	田尔文;;微波固体器件与现代通信[A];1985年全国微波会议论文集[C];1985年
12	邓剑;王艳;马於光;;有机夹心器件室温下产生太赫兹[A];2012年两岸三地高分子液晶态与超分子有序结构学术研讨会（暨第十二届全国高分子液晶态与超分子有序结构学术论文报告）会议论文集[C];2012年
13	卫宁;于伦正;郭红霞;党军;;二次包封CMOS器件电子辐照实验研究[A];第四届电子产品防护技术研讨会论文集（续）[C];2004年
14	朱起悦;;FPGA器件的可靠性预计[A];中国电子学会可靠性分会第十三届学术年会论文选[C];2006年
15	邢俊毅;冯进军;;毫米波扩展互作用器件[A];真空电子技术—毫米波器件技术专题[C];2010年
16	张小玲;谢雪松;吕长志;李志国;;用加速试验评估器件长期贮存寿命的研究[A];2009第十三届全国可靠性物理学术讨论会论文集[C];2009年
17	许献国;徐曦;胡健栋;;抑制体硅CMOS器件闭锁的新方法[A];第十二届全国核电子学与核探测技术学术年会论文集[C];2004年
18	喻胜;;太赫兹电子回旋脉塞技术研究[A];第十届全国光电技术学术交流会论文集[C];2012年
19	彭昭廉;余岳辉;李焕炀;王芳;;硅功率器件液相钝化的研究与试验[A];中国电工技术学会电力电子学会第八届学术年会论文集[C];2002年
20	杨蕊;黄鹤鸣;寺部一弥;郭新;;忆阻类脑器件及其神经形态运算[A];TFC'19第十五届全国薄膜技术学术研讨会摘要集[C];2019年

中国博士学位论文全文数据库

前20条

1	杨传森;氧化钼基阻变器件类神经突触特性的研究[D];中国科学院大学(中国科学院物理研究所);2017年
2	潘赛虎;极端环境下有机光电器件的可靠性研究[D];上海大学;2019年
3	彭翠云;基于微纳结构的有机光电器件中光耦合研究[D];上海大学;2019年
4	李宗鉴;Si IGBT/SiC MOSFET混合器件及其应用研究[D];湖南大学;2020年
5	王秀如;多色OLED器件及设备研究[D];上海大学;2006年
6	何慧凯;基于二维材料的忆阻类脑器件相转变机制和光电功能调控[D];华中科技大学;2021年
7	王志元;锑烯量子片的绿色制备及其在有机光电器件中的应用[D];太原理工大学;2020年
8	章文通;超结功率器件等效衬底模型与非全耗尽工作模式研究[D];电子科技大学;2016年
9	郭鹏;有机电双稳材料与器件的研究[D];复旦大学;2007年
10	彭子舜;Si IGBT/SiC MOSFET混合器件的开关控制策略及其应用研究[D];湖南大学;2020年
11	周子杰;片上集成的静电防护器件原理、结构与性能研究[D];湘潭大学;2020年
12	程彩蝶;金属氧化物基神经形态器件的性能与应用研究[D];北京科技大学;2021年
13	赵建辉;用于视觉系统的忆阻器特性研究[D];河北大学;2020年
14	王鹏;热致活化延迟荧光器件的发光动态特性及其稳定性的研究[D];北京交通大学;2020年
15	郭程;红外太赫兹器件的光场调控及探测机理研究[D];中国科学院大学(中国科学院上海技术物理研究所);2020年
16	彭其明;有机电致发光器件的磁致亮度变化及其在器件物理中的应用研究[D];吉林大学;2015年
17	马晓华;90nm CMOS器件强场可靠性研究[D];西安电子科技大学;2006年
18	付兴昌;90GHz以上氮化镓功率器件关键技术研究[D];东南大学;2019年
19	于浩;基于双层结构InGaZnO/InGaZnO:N薄膜晶体管及忆阻器件的研究[D];东北师范大学;2015年
20	欧谷平;有机电致发光材料及器件的研究[D];兰州大学;2006年

中国硕士学位论文全文数据库

前20条

1	安弟曦;静磁波色散特性及器件研究[D];电子科技大学;2022年
2	罗成友;微波信号的磁光调制及其光学处理研究[D];电子科技大学;2009年
3	赵海;静磁表面波信道器的研制[D];电子科技大学;2011年
4	孙开良;不均匀偏置磁场中磁光Bragg器件的衍射特性研究[D];电子科技大学;2006年
5	王文清;多层膜结构的忆阻器材料及器件的设计和制备[D];桂林理工大学;2020年
6	夹丹丹;嵌套型双向可控硅静电防护器件的性能研究[D];湘潭大学;2020年
7	董华;基于忆阻器件的模数转换器的设计[D];电子科技大学;2014年
8	胡庆;基于阈值转换器件的人工神经元研究[D];华中科技大学;2021年
9	包晗;FPGA器件的应用研究[D];大连海事大学;2006年
10	王延浩;温湿度环境下功率器件耐压可靠性研究[D];华北电力大学(北京);2021年
11	蒋育桐;基于氧化铪忆阻器件的构建与导电机理研究[D];天津理工大学;2021年
12	张宇轩;高功率氮化镓基射频光控器件理论与实验研究[D];西安电子科技大学;2021年
13	王江南;顶发射OLED器件的研制及优化[D];陕西科技大学;2020年
14	程祖华;场发射阴极OLED器件的结构及性能研究[D];郑州大学;2014年
15	赵俊;器件的热阻和温度的分析[D];西安电子科技大学;2012年
16	黄芃;纵向氮化镓功率器件新结构的设计及优化[D];电子科技大学;2021年
17	曹佩;高压工艺可控硅静电防护器件的结构设计和性能研究[D];湘潭大学;2021年
18	曹蕾;碳化硅功率MOSFET器件短路特性研究[D];浙江大学;2020年
19	杨坤隆;有机半导体器件的磁效应研究[D];复旦大学;2014年
20	顾野;忆阻器件的特性与电路应用研究[D];电子科技大学;2015年

中国重要报纸全文数据库

前7条

1	黄辛;科学家发明可媲美脑计算的非线性新器件[N];中国科学报;2021年
2	洪恒飞柯溢能记者江耘;“万能抓手”不粘附快速组装微观器件[N];科技日报;2020年
3	黄辛;无需器件增益失谐让X光“转圈圈”[N];中国科学报;2021年
4	江苏崔恩仲;颇富魅力的UCS005A LED平面发光组合器件[N];电子报;2006年
5	;面向亚太高增长市场40nm器件大量发售[N];中国电子报;2009年
6	;比前一代器件快30%[N];中国计算机报;2006年
7	本报记者姬晓婷;小小功率器件，节能减碳大帮手[N];中国电子报;2021年

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