热压烧结AlN-BN复合陶瓷的制备及介电性能

【摘要】：用热压工艺制备一系列BN含量(质量分数)为0~30%的AlN-BN复合陶瓷材料,研究了三氧化二钇和碳酸钙添加剂对致密性及介电性能的影响。结果表明:三氧化二钇和碳酸钙均有促进瓷体致密化的作用,但碳酸钙含量增加会造成组分不均匀,介质损耗增加。BN的质量分数为20%、三氧化二钇质量分数为5%的条件下,获得相对介电常数为8.5、介质损耗为0.000 683(1 MHz下)的AlN-BN复合陶瓷材料。测定了复合陶瓷介电常数及介质损耗随频率 (0.01~1 MHz)变化的特性,探讨了复合陶瓷介电常数与介质损耗与制备工艺的关系。