氮化铝薄膜的进展(续)
【摘要】：
<正> 三、氮化铝薄膜的结构和成分 氮化铝薄膜的结构依从于它的制造工艺和基片材料。在其他条件相同下,用不同的工艺可以制造出结构不同的薄膜。同样的,即使在工艺完全相同下,若所用基片材料不同,会得出结构各异的薄膜。 在氮化铝薄膜的结构中,包括有组织结构和晶体结构,此外,还有各种结构缺陷。
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承焕生,徐志伟,赵国庆,周筑颖,任月华,王季陶;背散射和核反应技术用于氮化硅薄膜分析[J];半导体学报;1982年01期 |
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赵志海;制造镍铬——铝薄膜电阻网络的一种新方法[J];电子元件与材料;1982年02期 |
| 3 |
伊藤隆司
,王秀春;采用铝等离子CVD方法的多层布线技术[J];微电子学;1983年05期 |
| 4 |
曹德林,魏永钦,蒋立光;用反应溅射法制备无衬底的氮化钽薄靶[J];核技术;1983年05期 |
| 5 |
刘忠立,伏·车慈曼,依·罗伯特,格·启姆;离子注入氮化硅隔离的CMOS器件[J];半导体学报;1983年06期 |
| 6 |
姚国荣,胡南山;无引线倒装钽铝薄膜电阻片[J];电子元件与材料;1983年03期 |
| 7 |
胡南山;高频反应溅射氮化钽铝薄膜[J];电子元件与材料;1983年04期 |
| 8 |
孙树滋;廖蔚树;李杰;杨淑文;肖群峰;郑全录;于志伟;;氧离子注入对铝膜导电性能的影响[J];真空科学与技术学报;1983年06期 |
| 9 |
承焕生,王季陶,周筑颖,徐志伟,任月华,张世理;等离子体淀积氮化硅膜的含氢量分析[J];电子学报;1984年06期 |
| 10 |
姜祥祺,加藤隆男;氮化钽场发射阴极的制作及其特性的研究[J];电子学报;1985年03期 |
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