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南车株机所填补我国先进电力电子器件的空白

【摘要】:正 近期,随着IGBT封装线全面投产,南车株洲电力机车研究所有限公司的6英寸大功率半导体器件研发及产业化基地正式建成。该项目投资3.5亿元,占地4公顷,总建筑面积2.2万平方米,于2007年启动建设,工艺装备和测试设备达到世界一流水准,主要生产6英寸、5英寸高压大电流晶闸管和整流管,年生产能力达6万只模块。近年,电力电子技术迅速发展,具有关断能力的功率半导体器件成为市场主流。IGBT已成为电机控制和功率变换器首选器件,在

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