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Cu位La、Gd掺杂YBa_2Cu_3O_(7-δ)结构和磁通钉扎的比较

徐胜  顾艳妮  吴小山  
【摘要】:多晶样品YBa2Cu3-xLaxO7-δ(0≤x≤0.15)和YBa2Cu3-xGdxO7-δ(0≤x≤0.15)通过固相反应法制备得来。通过结构参数分析,我们发现La首先替代Cu(1)位,然后开始部分替代Ba,而Gd开始替代Cu(2)位然后替代Cu(1)位。YBa2Cu3-xLaxO7-δ和YBa2Cu3-xGdxO7-δ的Tc都随掺杂x曲折变化并呈逐渐减小趋势。微量的La或Gd的Cu位掺杂使得YBa2Cu3O7-δ的Jc有明显的提高。YBa2Cu3-xLaxO7-δ的最佳掺杂组份(0.04)小于YBa2Cu3-xGdxO7-δ的最佳掺杂组份(0.07)的主要原因是磁性Gd3+离子能产生磁导性钉扎中心,而非磁性La3+离子则不能。

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