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脉冲激光沉积YBa_2Cu_3O_(7-x)薄膜的正电子寿命的温度依赖关系研究(英文)

周先意  李毕友  G.Kogel  W.Triftshauser  
【摘要】:在120K至470K的温区内,测量了脉冲激光沉积YBa2CuO7-x薄膜的正电子寿命的温度依赖关系.实验结果表明,除块材中存在的正电子深捕获中心外,超导外延膜中还存在大量块材中缺乏的正电子浅捕获中心;低温下,深捕获中心所对应的缺陷有可能扩展成为有效的磁通钉扎中心.浅捕获中心对正电子的束缚能为27meV.

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