2012年IEEE国际功率半导体器件(电力电子器件)及功率集成电路会议综述

【摘要】：本文概述第24届国际功率半导体器件与功率集成电路会议(ISPSD12)上发表的主要技术成果和进展。主要内容有:全体会场上的三篇特邀综述、高压技术(包括先进的高压开关、器件坚固性和先进的高压二极管)、宽禁带器件(包括GaN器件和SiC器件)、集成功率(包括集成功率技术与应用)、封装与系统集成、低压技术(包括低压器件、可靠性物理和先进转换器)等几个方面。

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前20条

1	章化;;采用低压和高压技术生长的LEC GaAs晶体的直接比较[J];微纳电子技术;1985年01期
2	高学贤;;微科学的发展[J];未来与发展;1981年03期
3	;亚太地区电技术盛会在北京召开[J];电子学报;1993年12期
4	;发光与发光器件[J];中国光学与应用光学文摘;2000年01期
5	白继彬;;我国发展新型电力电子器件的必要性[J];电气技术;2007年05期
6	庶;;IR发布荧光灯镇流器控制芯片[J];电子设计应用;2008年12期
7	;[J];;年期
8	;[J];;年期
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