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半导体二极管

【摘要】:正 Y2002-63067-989 0210603以SEBER实现的4H-SiC功率二极管用的以物理为基础的新电路模型=A new physics-based circuit model for4H-SiC power diodes implemented in SEBER〔会,英〕/Kolessar, R. Nee.H.P.//Sixteenth Annual IEEEApplied Power Electronics Conference and Exposition,Volume 2.-989~994(PE)

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