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相移掩模清洗结晶控制

张海平  尤春  周家万  陈卓  
【摘要】:在高端集成电路制造方面,普通二元掩模已经不能满足晶圆使用要求。目前,高端(线宽0.18μm以下)集成电路生产主要采用相移掩模。相移掩模(Phase Shift Mask)制作过程中,掩模表面结晶(Haze)问题较难控制。为了控制和解决相移掩模表面结晶问题,提高成品率,主要讨论了不同的清洗工艺(Recipe)对相移掩模结晶的影响。然后通过实验验证了通过优化清洗工艺(Recipe),可以明显改善相移掩模表面结晶问题,达到控制相移掩模表面结晶的目的。

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