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一种很有前途的退火工艺——激光退火

王巧霞  
【摘要】:正 最近半导体的激光退火新工艺研究正在蓬勃地进行着。所谓激光退火,就是使受了离子注入等损伤、表面晶格产生了缺陷的半导体恢复成结晶性好的半导体,它不是用已往那种热退火方式,而是用激光照射的方式退火。这种方法开始试验的是苏联,其次认真研究的是美国,最近在我国(日本)也广泛地开展了这项新技术的研究工作。退火的对象不单单是离子注入的半导体,而且对在低温基片上经过真空蒸镀生成晶格尺寸与基片晶格尺寸不匹配的薄膜也进行了激光退火的试验。

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