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真空CZ法生长硅单晶碳沾污机理的研究

樊占国  梁连科  
【摘要】:在真空下用CZ法生长硅单晶时,经热力学分折和实验研究证明,硅单晶中碳的主要来源除石墨托与石英坩埚间的反应生成CO外,气氛中氧化组元(O_2,SiO等)亦与石墨器件反应生成CO。碳以CO形式进入融硅,使硅单晶中碳含量增加。本研究采用了对石墨器件表面涂SiC、Mo、ZrO_2和热解石墨等方法,并用石英保温筒代替石墨保温筒。在真空度为1~3×10~(-2)托下,投料300g,用CZ法生长硅单晶,其晶体尾部的碳量平均值,比原工艺晶体中碳的平均含量降低了45%。

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