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热蒸发铜粉法制备硅纳米线的研究

刘建刚  范新会  陈建  于灵敏  严文  
【摘要】:研究发现,热蒸发铜粉即可在硅衬底上直接生长出硅纳米线。场发射电子扫描电镜和透射电镜分析表明,纳米线的形貌、结构及生长机制,随沉积区域的不同而变化。在高温沉积区,硅纳米线高度弯曲且相互缠绕,按气-液-固机制生长;在低温沉积区,高度定向生长的直硅纳米线,规整地排列在硅衬底表面,其生长机制是氧化辅助生长机制。

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