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新型InSb-In薄膜磁阻式振动传感器的设计

王蕊  黄钊洪  李敏毅  
【摘要】:介绍了一种用InSbIn共晶体薄膜磁敏元件制成的准全方位振动传感器。它由两对对称轴方向互相垂直的InSbIn磁敏元件构成,可将检测方位范围由一维扩展到现在的二维平面,并用单片机P87LPC760对传感器信号进行处理,应用中可提高检测信号的准确性。经实测,在机械振动的中低频率检测范围内,传感器的有效频带不窄于4~760Hz,其通频带内信噪比为30~32dB,经换算得灵敏度为16mV/gn。同时,得到传感器振动强度大小与磁敏电阻器输出信号关系曲线。

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