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磁控溅射沉积非晶碳膜微结构及电学性能

尚魁平  冶艳  葛培林  江利  鲍明东  
【摘要】:在单晶Si(100)基体上,采用闭合场非平衡磁控溅射方法沉积制备了导电非晶碳膜。X射线衍射(XRD)分析表明薄膜呈明显的非晶结构;用XPS分析了薄膜中的碳键结构,碳膜的C1s峰位于284~285 eV之间,C1s峰分峰拟合得出sp2C的原子数分数为59%左右,碳键以sp2结构为主;四探针法测得薄膜的电阻率为1.32×10-6Ω.m。可以认为:制备的碳膜是以sp2结构为主的类石墨非晶态薄膜。

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