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硫系玻璃存储薄膜中的导电沟道

马英仁  陆家福  闵嗣桂  
【摘要】:Te_(81)Ge_(15)S_2Sb_2薄膜存储器件的电操作特征表现在原始阈开关的位置与复位操作。 本文描述了硫系玻璃Te_(81)Ge_(15)S_2Sb_2薄膜中横向导电沟道的建立方法。用干涉显微镜和扫描电镜观察了置位、复位以及重新置位后导电沟道的形貌。分析了导电沟道的电性能数据、电致相变和导电询道的生长方向。结果指出,非晶态硫系存储薄膜的记忆功能是基于焦耳热引起的结晶过程。

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