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一种可以表征铁电晶体管存储性能退化的宏模型

刘福东  康晋锋  安辉耀  刘晓彦  韩汝琦  
【摘要】:从铁电晶体管的动态翻转和双阈值转移特性出发,建立了一种基于施密特触发器的FEFET(铁电场效应晶体管)行为级宏模型。该宏模型可以表征FEFET的转移特性,并且模型参数较少便于调节;模型结构简单、规模较小,可用于HSPICE电路模拟。模拟结果与FEFET实验结果比较,显示该模型能够很好地反映铁电材料的疲劳等因素引起的FEFET的存储性能退化,为FEDRAM(铁电动态随机存储器)设计和优化提供了一个良好的模型基础。

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