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未来的氧化镓器件

吴琪乐  
【摘要】:正近期,日本信息通信研究机构NICT发布了Ga_2O_3晶体管研制成功的消息。与SiC和GaN相比,Ga_2O_3在低成本、高耐压且低损耗方面显示出较大的潜力,备受业界关注。Ga_2O_3是金属镓的氧化物,也是一种半导体化合物,目前已发现的结晶形态有α、β、γ、δ、ε五种。其中,β结构最为稳定,与Ga_2O_3的结晶生长及物

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