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罗姆“全球首次”开始量产SiC制功率晶体管

郑冬冬  
【摘要】:正罗姆宣布已开发完成使用SiC的DMOSFET(double-diffusion metal-oxidesemiconductorFET),并已开始量产。计划从2010年12月开始量产供货定制产品,2011年夏季供货通用产品。计划此后花1年左右的时间在耐压为600 V~1200 V、电流为5 A~20 A的范围内充实产品。

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