1 |
陈廷杰,徐俊英,许继宗,庄蔚华,廖显伯;GD a-Si:H主光致发光带的时间分辨研究[J];发光与显示;1984年01期 |
2 |
冯建东,林振金,杨锡震;GaP中1.71eV发光带的研究[J];发光学报;1987年02期 |
3 |
俞容文,黄旭光,郑健生,颜炳章;混晶GaAs_(1-x)P_x∶N中N_X带的发光瞬态过程研究[J];厦门大学学报(自然科学版);1997年02期 |
4 |
吴正龙;杨百瑞;;不同X射线管电压下CsI和CsI(Tl)晶体的X射线辐照致发光[J];人工晶体学报;2009年03期 |
5 |
张勇,郑健生,吴伯僖;GaP和GaAs_(1-x)P_x中N束缚激子压力行为的理论计算[J];物理学报;1991年08期 |
6 |
赵家龙,高瑛,刘学彦,窦恺,黄世华,虞家琪,梁家昌,高鸿楷;Si衬底上生长的GaAs薄膜中深中心发光的温度效应[J];光学学报;1995年11期 |
7 |
娄志东;衣兰杰;滕枫;杨盛谊;徐征;;CdWO_4膜的制备及发光特性的研究[J];液晶与显示;2007年02期 |
8 |
张新夷,C. Hirlimann,M. Kanehisa,M. Balkanski;GaP:N和GaAs_(1-x)P_x:中的束缚激子依赖于激子声子耦合的辐射复合的热猝灭[J];中国科学(A辑 数学 物理学 天文学 技术科学);1982年04期 |
9 |
薛清;于育民;;铜掺杂多孔硅的光致发光及其载流子的复合过程[J];微纳电子技术;2007年09期 |
10 |
季振国,袁骏,许倩斐,徐明生,汪雷,李先杭,马向阳,阙端麟;纳米硅/二氧化硅发光膜的窄发光带[J];半导体光电;1999年05期 |
11 |
张中明,熊烨;高温空气中CO~+分子发光带系Franck-Condon因子的计算[J];化学物理学报;1998年04期 |
12 |
刘建成,张道标,胡百柳;ZrO_2-Y_2O_3固溶体杂质电荷态热处理和辐照效应[J];人工晶体学报;1991年Z1期 |
13 |
俞容文,郑健生,颜炳章;混晶GaAs_(1-x)P_x∶N(x=0.88)中NN_1对束缚激子发光的声子伴线[J];厦门大学学报(自然科学版);1997年06期 |
14 |
张新夷;Ⅲ-Ⅴ族化合物中氮束缚激子发光的动力学研究[J];发光与显示;1984年03期 |
15 |
;砷化镓铝间接带的发光[J];国外信息显示;1971年02期 |
16 |
;Ⅲ—Ⅴ族化合物束缚激子发光专题学术讨论会在厦门大学举行[J];发光与显示;1985年01期 |
17 |
W.Rühle.D.Bimberg
,W.Jakowetz
,R.Linnebach;GaSb中束缚激子的辐射衰减:深A~+杂质态的证据[J];国外发光与电光;1975年06期 |
18 |
王亚芳;杨百瑞;TOWNSEND Peter;;氧化锌晶体的低温热释光光谱[J];硅酸盐学报;2010年05期 |
19 |
陈寒娴;杨瑞东;王茺;邓荣斌;孔令德;杨宇;;溅射Si/Ge多层膜及其发光誊性研究[J];功能材料;2008年05期 |