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硅集成电路光刻技术的发展与挑战

王阳元  康晋锋  
【摘要】:从微电子集成电路技术发展的趋势 ,介绍了集成电路技术发展对光刻曝光技术的需求 ,综述了当前主流的DU V光学曝光技术和新一代曝光技术中的 15 7nm光学曝光、13nm EUV曝光、电子束曝光、X射线曝光、离子束曝光和纳米印制光刻技术的发展状况及所面临的技术挑战 .同时 ,对光学曝光技术中采用的各种分辨率增强技术如偏轴照明 (OAI)、光学邻近效应校正 (OPC)、移相掩膜 (PSM)、硅片表面的平整化、光刻胶修剪 (resist trimm ing)、抗反射功能和表面感光后的多层光刻胶等技术的原理进行了介绍 ,并对不同技术时代可能采用的曝光技术作了展望性的评述

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