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红外探测器微结构的HREM观察

刘峥  邵贝羚  刘安生  王敬  王瑞忠  钱佩信  
【摘要】:采用定位横断面制样的高分辨电子显微技术(HREM)观察了P+ -Si0.65Ge0.35/P-Si异质结内光发射红外探测器的微结构.该器件光敏区是由3 层P+ -Si0.65Ge0.35和2 层UD-Si(未掺杂硅)组成,Si0.65Ge0.35/UD-Si层间界面不明锐,有一个由于Ge 原子不均匀扩散造成的过渡带.这个过渡带缓和了界面的失配应力,因而未观察到界面晶体缺陷和严重的晶格畸变.在光敏区边缘有呈倒三角形的缺陷区,缺陷的主要类型为层错和微孪晶.层错在(1 11)面上,而微孪晶的厚度约为2~4晶面间距,其孪晶面为(1 11).非晶SiO2 台阶上的Si0.65Ge0.35和UD-Si层由随机形核生长的多晶组成,层面呈波浪状

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