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LPCVD氮化硅膜的表面氧化对pH—ISFET特性影响的研究

牛文成  
【摘要】:本文提出一种用高压蒸煮来处理LPCVD氮化硅膜的表面,可以抑制使用中慢氧化的方法。使用这种处理可以提高pH-ISFET的灵敏度、线性响应范围和稳定性。在此基础上,再用HF进行表面改性处理,不仅使pH-ISFET的灵敏度提高到接近能斯特(Nernst)理论值,而且稳定性也有一定的改善。

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