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衬底预非晶化对低能硼注入硅形成浅结的影响

卢志恒  李素杰  张朝明  罗晏  张荟星  
【摘要】:本文研究了不同剂量,不同能量硅自注入预非晶化对低能硼注入硅形成浅结的影响。对于10keV硼注入情形,只要含硼表面层是充分预非晶化的,都可得到结深为0.15μm左右的浅结。

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