p(a-SiC:H)/i(a-Si:H)异质界面分析
【摘要】:本文讨论Glass/ITO/p(a-SiC:H)/i(a-Si:H)/n(a-Si:H)/Al结构太阳电池中i层C污染对开路电压Voc、填充因子FF、收集长度L_c及收集效率η的影响,并从机理上做了比较详细地分析.我们的实验结果表明:解决好p/i界面问题和减少i层中C的污染是制备出高效率a-SiC:H窗口非晶硅pin结构太阳电池的关键之一.
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兰州大学非晶半导体科研组;a-Si_XC_(1-X)∶H薄膜的制备及其特性的研究[J];兰州大学学报(自然科学版);1982年01期 |
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廖显伯,杨喜荣,徐学敏,刘昌灵,孔光临;GD a-Si:(Cl,H)薄膜的光学性质[J];半导体学报;1983年04期 |
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邢益荣,钟战天,沈光地,孔光临,廖显伯,杨喜荣;a-Si:(H,Cl)薄膜的XPS和UPS研究[J];半导体学报;1983年06期 |
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廖显伯,杨喜荣,刘昌灵,孔光临,侯贵,徐广智;GD a-Si:(Cl,H)薄膜的ESR研究[J];半导体学报;1983年06期 |
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邢益荣,钟战天,沈光地;a-Si:(Cl,H)薄膜的PESIS研究[J];半导体学报;1984年04期 |
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张亚非
,张仿清
,陈光华;a-Si:H/a-Si_(1-x)C_x:H pin型发光器件的研制[J];兰州大学学报(自然科学版);1986年02期 |
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陈光华,张仿清,徐希翔,清水立生;掺杂(硼和磷)a-Si_(1-x)C_x:H膜中氢含量的测量[J];半导体学报;1986年05期 |
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陈之章,韩茂畴,王宗畔,徐温元;p(a-SiC:H)/i(a-Si:H)异质界面分析[J];半导体学报;1986年06期 |
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吴宗焱,沈月华;a-Si_(1-x)Nx:H 光电导的改善及其原由[J];无机材料学报;1986年03期 |
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王印月,张仿清,吴现成,陈光华;GD-a-Si_xC_(1-x):H薄膜光照场效应的研究[J];电子学报;1987年01期 |
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