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SiCl_4外延生长硅晶体中碳沾污的热力学分析

徐宝琨  赵慕愚  
【摘要】:本文采用热力学计算方法对引起SiCl_4外延生长硅晶体中碳沾污的三个来源作了较详细的分析.所得结果对外延硅中SiC沾污问题的认识,外延工艺和H_1、SiCl_4原材料制备及提纯工艺的改进将有一定的参考意义.

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