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InP 的合成晶体生长及特性

R.Coquille  徐永强  
【摘要】:本文提出了 InP 的合成和晶体生长的结果。合成是通过高压梯度冷凝法完成的,单晶生长则用 LEC 技术,对实验生长条件,即温度梯度和氧化硼含水量进行了讨论。根据这些实验结果,在〈111〉和〈100〉晶向已生长出非掺杂(N_D-N_A10~(16)cm~(-3)),掺 Sn(10~(17)N_D-N_A10~(18)cm~(-3)),掺 S(5×10~(18)N_D-N_A10~(19)cm~(-3)和掺 Fe 半绝缘((?)5×10~7Ω·cm)等不同单晶,用火花源质谱、二次离子质谱、霍尔测量和光致发光来表征初始料、多晶和单晶。

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