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没有隧道漏电流的高增益In_(0.35)Ga_(0.47)As/InP雪崩光电二极管

张华  
【摘要】:正 美国贝尔实验室已经制造出高量子效率,高增益(≌5500)的雪崩光电二极管,其长波灵敏度直到λ=1.7μm。击穿时的暗电流密度J_(pR)≤8×10~(-5)A/cm~2,雪崩击穿之前没有隧道的漏电迹象。为了制造没有隧道漏电以及在击穿时光电响应性能良好的APD,发现在n-InP层

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