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获得微波增益的双扩散MOS晶体管

孺子牛  
【摘要】:正 一种新的制作金属氧化物半导体的方法,不仅把速度提高5倍,而且开辟了 MOS 工艺在整个微波领域的应用。所谓双扩散 MOS 包括通过单掩膜孔进行两步扩散,以便形成1微米长的沟道。其结果是:最高振荡频率为10千兆赫的分立微波晶体管,在2千兆赫下增益为7分贝,在1千兆赫下噪声系数为4.5分贝。在数字领域中,双扩散 MOS 器件可以亚毫微秒速度开关,而且需要的话,可有较高的击穿电压。

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