少层二硫化钼薄膜的制备及其光谱特性

【摘要】：二硫化钼(MoS_2)具有与石墨烯类似的层状结构和优异的电学、光学特性,在光电器件和能量存储等领域具有广阔的应用前景。以MoS_2靶材和硫粉作为原料,采用磁控溅射结合硫化法制备出少层MoS_2薄膜。采用X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)、扫描电子显微镜(SEM)、紫外-可见分光光度计(UV-Vis)、拉曼光谱和X射线光电子能谱(XPS)等对样品的形貌、结构与光谱特性进行了表征。结果表明,制备的MoS_2薄膜具有4层结构特征,表面均匀;硫化可提高MoS_2薄膜的纯度,获得高品质薄膜,改善其性能,硫化后的MoS_2薄膜为2H-MoS_2晶体结构。