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LPCVD膜层均匀性机理

李祥轩  撒应虎  
【摘要】:正 近年来,LPCVD工艺已活跃于集成电路的制造工艺中,用以制成SiPOS膜、SiO_2膜、Si_3N_4膜以及含氧热淀积钝化膜.对这些膜层的电学特性,结构特性和光学特性都有过专著.为了适应VLSI的飞速发展对这些膜层质量提出的特殊要求,以满足电路模块功能的需要,尤其在膜层的均匀性指标上有相当大量的研究者下过功夫.这些工作都是非常有益的.对于膜层的均匀性,不管是电路设计者还是电路制造者无不很感兴趣.本文拟以自己的实践分析LPCVD膜层均匀性的机理.我们对两个系统做过温度、源比、入口压力和源气流速率的实验研究,认为反应器

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