条形注入式半导体双异质结激光器的侧向波导和侧向模式稳定性
【摘要】:本文首先简要地对注入式条形半导体双异质结激光器的侧向模式导引机制和模式稳定性的基础理论研究和基本实验研究工作作了较为综合的评述和扼要的分析。分析指出,在通常条形双异质结激光器中,侧向波导主要是自由载流子波导。这种自由载流子波导受外界因素(诸如注入电流,受激发射复合等)的影响是相当明显的,这就使得侧向模式不稳定。而且由于自由载流子波导受外界因素影响而发生变化的现象是该结构自身所固有的问题,因此,通常条形双异质结激光器的侧向模式不稳定性是无法采用提高晶片质量或改进工艺技术等方法所能克服的。理论分析实践证明,为获得稳定的侧向模式,必须改进结构,采用具有侧向上刚性的、内建的实折射率波导或刚性的、内建的增益(或损耗)波导的结构。在本文的后半部分,我们较为详细地介绍了“有效折射率(等价折射率)方法”。采用这种方法,我们对SBH激光器的侧向模式导引机制和模式稳定性作了详细的推导和分析。次后,又对PCW,CDH(脊形)等有源区或限制层厚度变化的条形激光器的侧向模式导引机制和模式稳定性问题的分析和计算方法作了简要的介绍,其详细的计算我们将在另外的文章中给出。
|
|
|
|
1 |
;室温连续工作的砷化镓平面条形双异质结激光器[J];吉林大学学报(理学版);1977年03期 |
2 |
付灿鑫;;有机金属化学汽相外延生长各种簿层激光器[J];半导体光电;1980年03期 |
3 |
;三种结构的室温连续工作GaAs-Ga_(1-x)Al_xAs双异质结激光器的制造[J];中国激光;1975年04期 |
4 |
戴守愚,齐上雪,李兆林,周佩珍,陶宏杰,王昌衡;条形GaAs双异质结激光器的低温反常特性[J];物理学报;1980年03期 |
5 |
Takaya Yamamoto;Kazuo Sakai;Shigeyuki Akiba;贾洪均;;室温连续工作10000小时的In_xGa_(1-x)As_yP_(1-y)/InP双异质结激光器[J];半导体光电;1980年02期 |
6 |
;5000小时室温连续激射GaAs/GaAlAs双异质结激光器[J];中国激光;1979年07期 |
7 |
T.T.sukada
,施志馥;工作电流相当低的条状台面双异质结激光器[J];发光学报;1973年02期 |
8 |
北京大学物理系激光一组;GaAs-Ga_(1-x)Al_xAS双异质结激光器的热阻及串联电阻的测量[J];清华大学学报(自然科学版);1975年04期 |
9 |
;GaAS-Ga_(1-x)AI_xAs双异质结激光器的热阻及串联电阻的测量[J];北京大学学报(自然科学版);1975年04期 |
10 |
长春半导体厂试制室四组
,吉林物理所二室二○二组;室温连续工作的山字台型双异质结激光器[J];吉林大学学报(理学版);1977年01期 |
11 |
MICHAEL ETTENBERG;HENRY KRESSEL;贾洪均;;(AlGa)As连续激光二极管的可靠性[J];半导体光电;1980年04期 |
12 |
C.C.Chen
,丁铁男;1500小时室温连续工作GaInAsP/InP双异质结激光器[J];发光学报;1978年03期 |
13 |
钟景昌;GaAs-Ga_xAl_(1-x)As双异质结激光器的分子束外延生长[J];光学学报;1984年06期 |
14 |
王益成;超短光脉冲发生器的研制[J];光子学报;1991年01期 |
15 |
;AlGaAs双异质结激光器的镜面退化[J];半导体光电;1980年01期 |
16 |
衣茂斌,苗忠礼,朱有才,王兢,高鼎三;InP/InGaAsP双异质结激光器[J];吉林大学学报(理学版);1981年04期 |
17 |
王家齐;;室温连续工作的商台型GaAs—Al_x Ga_(1-x)As双异质结激光器的研制[J];半导体光电;1979年03期 |
18 |
苗忠礼,衣茂斌,王兢,朱有财,高鼎三;近1.3μm室温连续工作的InP/In_xGa_(1-x)P_y As_(1-y)双异质结激光器[J];半导体光电;1981年02期 |
19 |
;双异质结激光器退化特性的初步观察[J];中国激光;1978年Z1期 |
20 |
金锋;范俊清;;GaAs-AlGaAs双异质结激光器若干参量的简化公式[J];光学技术;1979年03期 |
|