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横向限制1.3μm超辐射InGaAsP发光二极管

I. P. Kaminow  蒋涛  
【摘要】: <正> 实验已经证明,用横向限制波导和超辐射发光二极管(SLD)相结合的办法提高了进入多模光纤里的耦合效率。超辐射发光二极管的光学特性介于发光二极管和激光器的之间。通过调节注入电流密度可使这些特性适合某一特殊的应用。早先的分析表明,与所用光纤等数值孔径(NA)的无源横向波导足以将受激辐射产生的绝大部分光子导引进能被光纤收集的光线内,同时还表明输出端面,即前端面的

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