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拉通型硅雪崩光电二极管(RAPD)

朱华海  
【摘要】:本文报导了具有高效、快速、低噪声性能的拉通型硅雪崩光电二极管(RAPD)。在p-si单晶片上用硼离子注入和热扩散推进技术制作了高场区。在芯片背面蚀腔减薄后作硼扩散,其杂质梯度感生内建场。这样,在不增加工作电压的情况下,实现高的量子效率和快速响应特性。器件所达到的性能如下:在λ=0.86um下,量子效率可高达80%;在锁模Nd:YAG激光脉冲,其输出脉冲的前沿后沿为420PS,峰值半宽度τ为420PS;击穿电压为70~180V;过剩噪声因子x低达0.3,电容为1pf。

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