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固体电子学研究与进展
Research & Progress of SSE
主办: 南京电子器件研究所(中电科技集团公司第55所)
周期: 双月
出版地:江苏省南京市
语种: 中文;
开本: 大16开
ISSN 1000-3819
CN 32-1110/TN
创刊年:1981
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中国期刊网来源刊
2004版核心期刊
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固体电子学研究与进展

2018 年02期 目录
电子束辐照对GaN基白光LED发光性能的影响 于莉媛;杨磊;田海涛;牛萍娟;何金刚;
基于AHRS的改进自适应互补滤波算法研究 张浩磊;朱健;黄镇;
谐波控制在射频功率放大器设计中的应用 王嘉文;陶洪琪;
利用三量子阱结构拓宽1550nm InGaAlAs超辐射发光管光谱 孙春明;张晶;祝子翔;陈锋;
一种超外差低中频接收机射频前端的设计 王磊;唐长文;
硅基晶圆级封装的三维集成X波段8通道变频模块 周明;张君直;王继财;黄旼;张洪泽;潘晓枫;张斌;
圆片级BCB键合的Cu-Cu互连技术研究 丁蕾;陈靖;杜国平;刘米丰;王立春;
基于AHRS的改进自适应互补滤波算法研究 张浩磊;朱健;黄镇;
ESD防护器件中SCR结构开启速度的优化与分析 马艺珂;梁海莲;顾晓峰;王鑫;刘湖云;
具有宽安全工作区的压接式IGBT芯片研制 王耀华;高明超;刘江;冷国庆;赵哿;金锐;温家良;潘艳;
电子束辐照对GaN基白光LED发光性能的影响 于莉媛;杨磊;田海涛;牛萍娟;何金刚;
利用三量子阱结构拓宽1550nm InGaAlAs超辐射发光管光谱 孙春明;张晶;祝子翔;陈锋;
一种W波段介质密封型的波导-微带转换结构 龚鸿州;钱兴成;王元庆;
谐波控制在射频功率放大器设计中的应用 王嘉文;陶洪琪;
基于SiC MOSFET的霍尔迁移率在片测试方法 刘岳巍;杨瑞霞;
启事
Ku波段GaN MMIC高线性功率放大器设计 赵映红;钱峰;郑惟彬;
Ka波段GaN单片低噪声放大器研制 吴少兵;李建平;李忠辉;高建峰;黄念宁;
有机光伏应用中PVK-C_(60)共聚物性能增强研究 蒋曲博;甘永进;梁国令;甘国妹;胡良红;宁维莲;
新型V波段综合孔径辐射计接收阵列的设计 梅亮;崔冬;张华;曹珂;
数百eV低能电子束照射电介质样品带电效应 李维勤;李超;
固体电子学研究与进展2018年各期:  [01] [02] [03] [04]
固体电子学研究与进展 其它年:   [2017]   [2016]   [2015]   [2014]   [2013]   [2012]   [2011]   [2010]   [2000]
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