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固体电子学研究与进展
Research & Progress of SSE
主办: 南京电子器件研究所(中电科技集团公司第55所)
周期: 双月
出版地:江苏省南京市
语种: 中文;
开本: 大16开
ISSN 1000-3819
CN 32-1110/TN
创刊年:1981
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2004版核心期刊
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固体电子学研究与进展

2017 年01期 目录
Ku波段GaN一片式收发组件芯片 任春江;彭龙新;戈勤;沈宏昌;潘晓枫;李建平;李忠辉;陈堂胜;
0.35μm栅长HfO_2栅介质GaN MOSHEMT 韩克锋;朱琳;
量子盘量子比特中电子的概率密度分布的电磁场依赖性 尹洪武;苏都;额尔敦朝鲁;
Ku波段SiGe幅相多功能芯片设计 李健康;沈宏昌;陈亮;李晓鹏;童伟;曲俊达;
SOI射频开关测试结构特性参数分析 刘张李;
基于相变单元测试的高速可编程脉冲电流源 胡佳俊;陈后鹏;王倩;李喜;雷宇;苗杰;宋志棠;
高重频高稳定度改进型MARX纳秒脉冲源的设计 张亚东;梁步阁;何继爱;张锋;张岩松;赵旸;
基于LTCC工艺的抽头式梳状线滤波器设计 李永彬;王子良;程凯;
一种新型基片集成波导滤波器及其在振荡器中的应用 谭朕;唐宗熙;
基于高压大电流模块应用的3300V软穿通快速IGBT的设计 王柳敏;金锐;谢刚;于佳泓;盛况;
一种8位32MS/s的流水线型模数转换器设计 盛君莉;唐长文;
SiC基GaN激光划片工艺研究 王彦硕;邹鹏辉;贾洁;林罡;高建峰;陈堂胜;
Te掺杂对GaInP外延层材料特性的影响 林志伟;
150mm掺P硅衬底外延层的制备及性能表征 李明达;李普生;
X波段100W GaAs单片大功率PIN限幅器 彭龙新;李真;徐波;凌志健;李光超;彭劲松;
固体电子学研究与进展2017年各期:  [01] [02] [03]
固体电子学研究与进展 其它年:   [2016]   [2015]   [2014]   [2013]   [2012]   [2011]   [2010]   [2009]   [2008]   [2007]   [2006]   [2005]   [2004]   [2003]   [2002]   [2001]   [2000]   [1999]   [1998]   [1997]   [1996]   [1995]   [1994]   [1993]   [1992]   [1991]   [1990]   [1989]   [1988]   [1987]   [1986]   [1985]   [1984]   [1983]   [1982]   [1981]
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