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  半导体学报
       Chinese Journal of Semiconductors
主办：  中国科学院半导体研究所;中国电子学会
周期：  月刊
出版地：北京市
语种：  中英
开本：  大16开

ISSN 0253-4177
CN 11-1870/TN
邮发代号 2-184
创刊年：1980
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半导体学报
2008年08期
目 录
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Optimization and Analysis of Magnesium Doping in MOCVD Grown p-GaN		张晓敏 王彦杰 杨子文 廖辉 陈伟华 李丁 李睿 杨志坚 张国义 胡晓东
表面势垒形状对NEA光阴极电子能量分布的影响(英文)
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非晶碳和碳纳米管混合薄膜的场发射性能(英文)
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增强型InGaP/AlGaAs/InGaAs PHEMT栅退火工艺(英文)
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退火气氛对铝诱导a-Si薄膜结晶过程的影响
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