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《西北师范大学学报(自然科学版)》 2013年03期
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Ti掺杂ZnO纳米薄膜的微结构/生长取向程度及其光致发光特性研究

马书懿  刘静  赵强  张小雷  李发明  
【摘要】:采用射频(RF)反应磁控溅射技术在Si衬底上分别制备了具有(100)方向生长的ZnO薄膜和Ti掺杂ZnO薄膜(ZnO∶Ti).利用X射线衍射(XRD)和光致荧光发光(PL)表征技术,研究了不同Ti掺杂浓度对ZnO薄膜微观结构和光学性能的影响.结果显示,Ti掺杂前后ZnO薄膜都具有六角纤锌矿结构,同时均表现出沿(100)方向的择优生长特性;掺入2%Ti元素后薄膜的织构系数Tc(100)明显增加,表明Ti的掺入对ZnO薄膜的结晶取向程度有一定影响.与未掺杂的ZnO薄膜相比,ZnO∶Ti薄膜的衍射峰发生宽化且峰强减小,薄膜的结晶质量下降.改变Ti的掺杂量,发现Si衬底上制备的薄膜发光强度和发光峰位随掺杂浓度发生相应的改变.
【作者单位】甘肃省原子分子与功能材料重点实验室 西北师范大学物理与电子工程学院;
【基金】:国家自然科学基金资助项目(10874140) 教育部留学回国人员科研启动基金资助项目 甘肃省高等学校基本科研业务费资助项目(2010—2012)
【分类号】:TN304.055
【正文快照】:
ZnO是一种Ⅱ-Ⅵ族宽禁带半导体材料,具有纤锌矿晶体结构,室温下禁带宽度为3.37eV,激子束缚能高达60meV[1],在室温下可以实现紫外受激辐射.由于ZnO优异的光学、电学及压电性能,使其在光探测器、发光二极管、透明导电、平面显示等众多领域有着广阔的应用前景.目前采用多种方法

【参考文献】
中国期刊全文数据库 前2条
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【二级参考文献】
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