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《上海师范大学学报(自然科学版)》 2020年04期
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非易失闪存中堆叠电容的精度控制研究与改善

郎玉红  陆振杰  祁鹏  
【摘要】:讨论了非易失闪存(NOR Flash)器件中ONO介质层厚度的精度控制.通过归一化不同密度器件分组,优化多层复杂薄膜的光学量测精度,优化氮化硅层的均匀性,实现了对ONO介质层厚度更精确的控制.结合光学厚度与电性厚度的相关性,可以及时得到ONO工艺的安全窗口.

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