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《人工晶体学报》 2018年12期
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基于响应面法的直拉硅单晶生长工艺参数优化方法

张晶  潘亚妮  刘丁  牟伟明  
【摘要】:在直拉法制备硅单晶的过程中,要得到优质的晶体必须建立合理的温度分布,而单晶炉内热场的分布与工艺参数的设定密切相关。其中以晶体转速、坩埚转速和拉速等三个工艺参数对热场分布的影响尤为显著。为了确定最佳热场分布下晶转、埚转及拉速的设定值,本文采用响应面算法通过方程拟合、回归分析等步骤求解这三个工艺参量与温度梯度之间的最佳函数模型,并在该模型下同时对这三个工艺参量进行优化分析,且通过仿真实验和拉晶实验表明该方法的有效性。

【参考文献】
中国期刊全文数据库 前2条
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【共引文献】
中国期刊全文数据库 前3条
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3 王晓宇;王金良;彭洪勇;;有限元分析薄膜/基底在纳米压痕过程中的力学性能[J];人工晶体学报;2014年02期
【二级参考文献】
中国期刊全文数据库 前5条
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【相似文献】
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3 张晶;刘丁;赵跃;焦尚彬;;直拉硅单晶放肩过程的有限元数值模拟与控制参数研究[J];人工晶体学报;2013年01期
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2 羊建坤;太阳能硅单晶快速生长中结晶潜热的研究[D];河北工业大学;2007年
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4 王进;直拉硅单晶中空洞型缺陷演化行为的相场模型及其模拟研究[D];山东大学;2015年
5 李宝珠;碳化硅单晶抛光片加工技术研究[D];天津大学;2009年
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7 朱伟江;重掺锑直拉硅单晶的氧沉淀行为[D];浙江大学;2010年
8 余长军;物性参数对硅单晶CZ法生长过程影响的全局数值分析[D];重庆大学;2005年
9 陈德伟;基于有限元法的单晶炉热场数值模拟研究[D];西安理工大学;2009年
10 魏东海;勾形磁场对硅单晶CZ生长过程影响的全局数值分析[D];重庆大学;2007年
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